（原标题：存储巨头，忧心忡忡）

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好意思国主要存储器公司好意思光行将公布其财报。跟着内存阛阓供应多余的担忧最近加重，尤其是传统居品，业界正在密切柔软好意思光科技的远景。

好意思国好意思光盘算推算于19日公布2025财年第一季度（2024年9月至2024年11月）财报。此前，好意思光科技 6 月至 8 月的销售额为 77.5 亿好意思元，录得“盈利惊喜”。这比上一季度增长了 14%，比客岁同期增长了 93%。

好意思光瞻望，受HBM（高带宽内存）等高附加值居品的影响，本季度销售额将握续增长。该公司本季度销售额预测中位数为87亿好意思元，比客岁同期高出84%。

好意思光在公布上一季度功绩时示意，“基于本财年，HBM阛阓将从2023年的40亿好意思元增长到2025年的250亿好意思元”，好意思光补充谈，“存储器的供需均衡由于 HBM 比例的增多以及向下一代 NAND 工艺的过渡，来岁的行业将会健康发展。”

然则，半导体行业最近建议了内存阛阓概略情味进一步增多的担忧。这是因为除东谈主工智能（AI）之外的通用存储器需求握续低迷，中国自后者正在积极扩大产量，存储的改日正在激勉担忧

存储形势，急转下滑？

事实上，把柄阛阓研究公司Trend Force的数据，9月底通用DRAM居品固定往还价钱环比着落17.07%，上月底也着落20.59%。从9月份开动，NAND价钱也连气儿三个月着落两位数。

DRAMeXchange 在12更是进一步指出，死心 11 月底，通用 PC DRAM 居品（DDR4 8Gb 1Gx8）的平均固定往还价钱为 1.35 好意思元。与 7 月份 2.1 好意思元的价钱比拟，这标志着 35.7% 的大幅着落。本年下半年DRAM价钱大幅着落，可归因于供需两边的不利要素，激勉东谈主们对更浅近经济影响的担忧。

对智高手机和个东谈主电脑等信息时间 (IT) 开导的需求尚未复苏，中国等主要国度的国内心扉依然低迷。这导致主要IT开导公司下调了DRAM库存。供给方面，中国企业正在发起供给攻势。天然他们在高带宽内存 (HBM) 等先进居品方面尚未赶上韩国，但他们在双倍数据速率 4 (DDR4) 等传统居品方面凭借价钱竞争力撼动阛阓。

Kiwoom 证券研究员 Park Yoo-ak 驳倒谈：“瞻望本年年底和明岁首 DRAM 价钱的跌幅将比预期大幅下降，”并补充说，“由于中国厂商和其他公司以廉价销售居品，因此直到来岁第二季度，DRAM供应增长率将杰出需求增长率。”一位商界高等官员也认可这种不雅点，他示意：“如若 DRAM 价钱波动，三星电子等最初企业的功绩将下降，以致影响税收收入。”

死心11月，PC DDR5 16Gb居品的平均固定往还价钱为3.9好意思元，较10月的4.05好意思元下降3.7%。与7月份4.65好意思元的价钱比拟，跌幅达到16.1%。商界惦记，如若半导体价钱进一步加速着落，对举座经济的不利影响可能会加大。如若三星电子和SK海力士的晦气发扬永恒握续，可能会干预两家公司数十万亿韩元的年度要领投资盘算推算。这可能会导致一种“反向乘数效应”，即投资减少导致国内举座经济萎缩。

一位半导体行业官员指出，“如若半导体下行周期与现时形势重复，可能会对统统这个词经济酿成冲击”，并补充谈，“政界至少需要商量遴选措施减少企业料理的概略情味。”另一位商界高等官员强调了时局的严重性，他示意：“这就好像是在经济范围而非政事范围文告了遑急情状。”

DRAM 阛阓的近况标明改日将濒临充满挑战的时期，瞻望价钱将握续着落趋势至明岁首。这对严重依赖半导体行业的韩国经济产生了要紧影响。政策制定者和行业引导者需要小心搪塞这些摇荡的时局，以疲塌潜在的经济影响。

当今，股市有下调三星电子、SK海力士等韩国脉土存储器企业方向股价的趋势。

NH Investment & Securities将三星电子的方向股价从9万韩元下调16.67%至7.5万韩元。这响应出传统半导体价钱跌幅超出预期、中国存储器企业的追逐以及HBM的比例。摩根大通最近将三星电子的方向股价从8.3万韩元下调至6万韩元。投资意见也被下调至“中性”。SK海力士的方向股价也从26万韩元下调至21万韩元。

在此形势下，好意思光的功绩公布和预测有望成为揣测韩国存储器行业改日发扬的重要主义。

三星的绝地反击

面对这种寰宇变化，三星正在强势出击。着手，公司更换了存储业务的讲求东谈主。三星示意，公司副董事长兼开导处理决议 (DS) 部门讲求东谈主 Young Hyun Jun 被任命为首席实践官，并将担任内存业务和三星先进时间研究院讲求东谈主。这是三星面对现时竞争作念出的第一个决定。

随后在DRAM方面，三星电子开动投资大范畴坐蓐“1c D”RAM。据了解，近期已向相关谐和伙伴订购了坐蓐开导，装配责任将于来岁2月摆布开动。由于1c DRAM是决定三星电子下一代HBM4竞争力的重要要素，因此看来正在为实时量产该居品作念好准备。据业内东谈主士9日浮现，三星电子最近开动订购开导，用于在平泽第四园区（P4）树立1c DRAM量产线。

1c DRAM 是第六代 10 纳米 DRAM。电路线宽约为11至12纳米(nm)。它是比当今买卖化的最新一代1b（第5代）DRAM最初一代的居品，瞻望从来岁开动全面买卖化。因此，三星电子也一直在重心开发1c DRAM。客岁第三季度，取得了光显的效劳，举例初次获取了1c DRAM的“Know Good Die”（正常运行的芯片）。

此外，三星电子依然开动准备量产1c DRAM。最近发现P4内的新DRAM坐蓐线已投资用于量产1c DRAM的开导。到当今为止，1c DRAM 仅在覆按（试坐蓐）线上坐蓐。

因此，Lam research等主要开导公司的开导瞻望将于来岁第一季度开动引进。与DRAM总产量比拟，当今的投资范畴料到并不算大。不外，据悉，三星电子里面和外部正在就追加投资进行商讨。

半导体行业相关东谈主士阐述说：“据我了解，三星电子将于来岁 2 月摆布开动引进 1c DRAM 量产开导。”并补充谈，“待 1c DRAM 产量自如到一定程度后，才会追加投资”。”。

三星电子的1c DRAM在供应下一代HBM（高带宽内存）HBM4（第六代HBM）的竞争中也具有重要敬爱。

三星电子一直使用1a（第4代）DRAM，直至HBM3E（第5代HBM），但盘算推算在HBM4中使用1c DRAM。主要竞争敌手 SK 海力士和好意思光在 HBM3E 之后在 HBM4 中保留 1b DRAM。

HBM 是多个 DRAM 垂直堆叠的存储器。因此，中枢芯片DRAM的性能对HBM的性能有要紧影响。这等于为什么东谈主们瞻望，如若三星电子胜仗地将1c DRAM行使于HBM4，它将大约从头获取鄙人一代HBM阛阓的引导地位。

不外，当今还很难详情三星电子是否大约胜仗量产1c DRAM和HBM4。尽管三星电子正在全力开发1c DRAM，但尚未兑现自如的良率。另一位官员示意，“三星电子的方向是在来岁下半年量产HBM4，因此似乎正在为此进行开导投资。重要在于DRAM和HBM的良率能多快晋升。”

在NAND 方面，三星也率先完成400 层 NAND 的冲破。

据先容，三星电子在其半导体研究所胜仗完成了其冲破性 400 层 NAND 时间的开发。该公司已开动将这项先进时间滚动到平泽园区一号工场的大范畴坐蓐线上，这一进程于上个月开动。这一重要的里程碑使三星处于 NAND 闪存时间的前沿，因为它准备与 SK 海力士等行业竞争敌手竞争，后者最近文告批量坐蓐 321 层 NAND。

三星电子盘算推算于来岁 2 月在好意思国举行的 2025 年外洋固态电路会议 (ISSCC) 上留意发布其 1Tb 容量 400 层三级单位 (TLC) NAND。这种先进 NAND 的量产瞻望将于来岁下半年开动，不外一些行业群众预测，如若加速进度，坐蓐可能会在第二季度末开动。

400层NAND的开发代表了NAND闪存时间的要紧飞跃，该时间已从传统的平面（2D）NAND发展到三星于2013年推出的3D NAND。该时间触及垂直堆叠存储单位以晋升存储密度和效劳。三星为 400 层 NAND 引入“三重堆栈”时间，其中触及将存储单位堆叠为三层，标志着该范围的显着杰出。

SK海力士的攻和守

凭借HBM兑现反超的SK海力士，也不甘于被三星径直追上。他们也在存储方面祭出了我方的绝招。

着手，在DRAM方面。据报谈，SK 海力士盘算推算将位于京畿谈利川总部的一些 DRAM 重要东谈主员派往清州，以扩大其高带宽存储器 (HBM) 的坐蓐智商至清州 M15X 晶圆厂，以搪塞供应枯竭的问题。

据业界15日浮现，SK海力士瞻望将礼聘部分在京畿谈利川校区责任的与DRAM统统这个词工艺相关的精英职工，并将其滚动至清州校区。

当今，SK海力士将M11、M12、M15工场所在的清州园区当作NAND闪存坐蓐基地，将M14、M16工场所在的利川园区当作DRAM坐蓐基地。

尤其是SK海力士在清州园区树立的M15X，是投资20多万亿韩元树立的现存M15的扩建工场，盘算推算于来岁11月完满，重心坐蓐DRAM中的HBM。

这次选拔的主干东谈主员将讲求M15X功课所需的基础要领树立和开导设立等基础责任。

业内东谈主士预测，HBM阛阓暂时仍将供不应求，的确需要HBM的客户订单也滚滚不息，SK海力士来岁的库存也已“售罄”。

SK集团会长崔泰源上个月初在“SK AI Summit 2024”上示意，“每当有新的GPU发布时，NVIDIA都会条目SK海力士提供更多的HBM，并老是条目提前约定的时刻表”，并补充谈，“前次我和Nvidia CEO黄仁勋碰头时，我条目他将HBM4(第六代)的供应提前六个月。”

SK海力士3月份在业内初次向AI大客户Nvidia供应HBM3E第8层，并于上个月在群众初次量产HBM3E第12层居品，盘算推算于本季度出货。

与此同期，SK 海力士合计，HBM 需求放时时供应多余的担忧“为时过早”。SK 海力士预测：“跟着对 AI 芯片的需求控制增长，以及客户扩大对 AI 投资意愿得到阐发，来岁对 HBM 的需求将杰出预期。”

阛阓研究公司 TrendForce 在之前的敷陈中示意：“由于东谈主工智能需求的快速增长，HBM 已成为 DRAM 行业的主要增长引擎。异常是 HBM3E（第五代）来岁将保握供应病笃。”

来到NAND方面，如上所述，SK海力士开动量产321层3D NAND。

SK 海力士已开动量产其 321 层 3D NAND，赢得了闪存层数竞赛，而西部数据则宣称其 218 层 NAND 已收尾这一竞赛。

这家韩国 NAND 制造商正在使用所谓的三插头（three-plugs）时间来互连三层 NAND，每层约 100 层，并构建 1 Tbit TLC（3 位/单位）芯片。该公司客岁 8 月对 321 层芯片进行了送样。

SK海力士NAND开发讲求东谈主Jungdal Choi合计：“SK海力士将在以HBM（高带宽存储器）为主导的DRAM业务基础上，通过在超高性能NAND范围增多完好的居品组合，向全栈AI存储器提供商迈进。”

SK 示意，其插头（plugs）完成了 NAND 单位坐蓐进程，该进程通过逐层堆叠基板开动。该公司示意，“重复每一层的单位形成进程效劳低下，并会增多制酿老本。因此，着手堆叠多层基板，然后在这些层上钻出称为插头的垂直孔，然后在孔摆布形成单位。”

这些孔不是钻出来的，而是蚀刻出来的。其他 NAND 制造商将这些孔称为硅通孔 ( TSV )。蚀刻开导在 100 层以下责任雅致，但之后就变得不行靠了。相背，它会在三组 100 层中创建插头，这些插头垂直堆叠。

该公司示意，凭借其三插头时间，“包括cell形成在内的统统进程都不错在统统层上同期进行。”

“通过这种面孔，SK海力士大约通过单一工艺同期制造施加电压和电子通谈的重要结构——字线和字线道路。”

字线是流畅每层 NAND 单位法例栅极的流畅线。字线道路是将每层的字线败露在顶面的结构。然则，每层中的插头可能并非十足对皆。

SK 海力士还有另一个时间绝招。插头内衬有 CTF（Charge Trap Flash：电荷拿获闪存）薄膜，需要在底部与电气通路不息的所在将其移除。这在上图中称为流畅点。CTF 薄膜是氧化物和氮化物薄膜的复合材料，可替代浮栅。

该公司示意：“曩昔，蚀刻气体从插头顶部注入，以垂直面孔去除插头底部的 CTF 膜。但是，当堆叠两个或多个插头时，插头的中心不合皆。这谢绝了蚀刻气体到达底部，从而损坏了插头当作电板一侧的 CTF 膜。”

它通过为蚀刻气体提供单独的侧向源旅途处理了这个问题。“蚀刻气体被注入单独的旅途，到达NAND层的底部并去除插头两侧的CTF膜。使用侧向源时间，蚀刻气体不会径直注入插头。因此，即使插头未瞄准，里面也不会受损。因此，SK海力士大大缩短了漏洞率，晋升了坐蓐率，并处理了与多重堆叠相关的老本增多的问题。”

水平旅途流畅不会在 NAND 层底部留住空闲。

SK 海力士强调 NAND 性能。凭借 321 层时间，它大约使用较低的 3D NAND 层数，与竞争敌手的 QLC（4 位/单位）芯片达到的容量相比好意思，何况凭借其 TLC（3 位/单位）式样，获取比 QLC 更快的性能和耐用性。

该公司示意，“与上一代居品比拟，这款最新址品的数据传输速率晋升了 12%，读取性能晋升了 13%。它还将数据读取功率效劳晋升了 10% 以上。”SK 海力士合计其 321 层 NAND 适用于需要低功耗和高性能的 AI 行使。

Wedbush 分析师 Matt Bryson 示意：“天然层数确乎令东谈主印象深远，但咱们收到的联系海力士新部件预期质地的反馈并不那么乐不雅，咱们的对话标明，好意思光和 Kioxia/WD（采用 BiCS8）似乎在预期的下一代 NAND 位性能方面处于最初地位。”

SK海力士示意，其321层NAND芯片将于2025年上半年向客户推出。

两巨头的新方向

在巩固现存时间和阛阓的同期，两大存储巨头也向着新时间和阛阓前进。举例，两边都在押注HBM和CXL。

据10月底的报谈，最初的内存芯片制造商三星电子和 SK 海力士正在谐和策略，专注于高带宽内存 4 (HBM4) 和 Compute Express Link (CXL) 等高价值时间。这一举措受到竞争日益强烈的内存阛阓的鞭策，中国公司正在扩大坐蓐智商并采用激进的订价策略来霸占阛阓份额。

三星最近在 OCP（通达狡计样式）群众峰会上展示了其在 CXL 时间方面的进展。该公司盘算推算在 2024 年底前量产稳妥 CXL 2.0 条约的 256GB CMM-D。CXL 是一种旨在晋升 CPU、GPU 和内存之间数据传输效劳和速率的时间，有望鄙人一代 AI 和狡计责任负载中阐述重要作用。

与此同期，SK 海力士重申了坐蓐 HBM4 的开心，盘算推算于 2025 年下半年开动量产，随后于 2026 年推出 HBM4E。该公司还在探索混杂键合时间的后劲，该时间不错进一步晋升性能。这些高端内存处理决议瞻望将获取高价，使三星和 SK 海力士有别于其低老本竞争敌手。

天然向高价值时间的谐和带来了机遇，但也带来了特殊的挑战。开发 HBM4 和 CXL 等顶端内存处理决议需要宽广研发插足。这些时间的复杂性增多了坐蓐老本，使得竞争不单是是阛阓份额，而是时间最初地位。

与此同期，三星和SK海力士正在谐和，旨在加速低功耗 LPDDR6-PIM 居品的门径化。

三星电子和 SK 海力士正在谐和门径化“低功耗双倍数据速率 6 (LPDDR6)-内存处理 (PIM)”居品。这次谐和旨在加速东谈主工智能 (AI) 专用低功耗存储器的门径化，与开导上东谈主工智能（在单个开导内处理东谈主工智能）的时间谐和保握一致。两家公司已详情有必要结成定约，以适合这一趋势将下一代内存买卖化。

三星电子和 SK 海力士之间的谐和正处于早期阶段，正在进行向连合电子开导工程委员会 (JEDEC) 注册门径化的初步责任。对于每个待门径化样式的稳妥圭表的商讨正在进行中。与传统内存比拟，具有 PIM 的 LPDDR 需要商量不同的时间特质，举例“里面带宽”，它指的是内存内的带宽，而不是对传统内存至关重要的处理器和内存之间的“外部带宽”。三星电子的一位代浮现意，“两家公司正在就居品门径化交换意见并进行谐和”，并补充谈，“由于谐和刚刚开动，咱们正在制定门径化方向时刻表的实施盘算推算。

两家公司都将PIM时间详情为改日的增长引擎，并一直在开发居品，但在买卖化方面尚未取得要紧进展。三星电子推出了带有PIM的HBM和LPDDR5居品，并追求门径化，但莫得取得效劳。SK海力士还发布了Graphics DRAM（GDDR6）-PIM，但这推行上是一个标记性的居品发布。把柄各自的门径开发居品，导致宗旨和圭表存在互异，导致行业难以采用通用门径。这等于为什么两家公司在 PIM 居品发布之前就开动在门径化方面进行谐和的原因。

开导端AI时间的兴起也加速了PIM内存的买卖化。开导端东谈主工智能是指在智高手机等开导内处理东谈主工智能狡计的时间。天然像 ChatGPT 这么的东谈主工智能作事是基于云的，但这项时间正在引起东谈主们的柔软，因为它出于安全性和低延长等原因在开导内处理数据。当行使PIM时间时，处理器和内存之间的数据移动减少，与传统内存比拟，显着缩短了功耗。这等于为什么 PIM 内存在开导端 AI 中备受真贵，而低功耗对于开导端 AI 至关重要。

把柄阛阓研究公司 MarketsandMarkets 的数据，群众开导端东谈主工智能阛阓瞻望将以年均 37.7% 的速率增长，到 2030 年将达到 1739 亿好意思元（228 万亿韩元）。这一瞻望增长突显了三星与三星之间谐和的策略重要性。和 SK 海力士极力于下一代内存时间的门径化和买卖化。

其实，这些巨头的担忧是否是过渡忧虑？毕竟，正如分析东谈主士早前所说，恰是因为存储，让统统这个词半导体行业的基本面被防守住了。但商量到存储是一个周期性极强的通用商品，也许他们看到了咱们莫得看到的风险。

此外。存储行业除了上述两家韩国厂商之外，著述着手的好意思光在HBM上的追击也备受柔软。另外，最近因为上市成为风口浪尖的铠侠的所作所为也会对阛阓的改日产生新的影响。不外，商量到现时的竞争场合，阛阓大势应该不会改换。

再者，存储行业是否会存储新一个HBM时间，引起新的谐和，这静待不雅察。

https://zdnet.co.kr/view/?no=20241214140125

https://www.businesskorea.co.kr/news/articleView.html?idxno=231280

https://zdnet.co.kr/view/?no=20241209100623

https://www.mk.co.kr/en/business/11194873

https://blocksandfiles.com/2024/11/21/3-plugs-gets-sk-hynix-mass-producing-321-layer-nand/

https://www.tomshardware.com/tech-industry/samsung-and-sk-hynix-double-down-on-hbm4-and-cxl-technologies-to-counter-chinese-competition

https://www.businesskorea.co.kr/news/articleView.html?idxno=230765

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